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SiR878DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
0.080
0.064
I D = 15 A
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.048
0.032
0.016
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.4
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.0
120
- 0.2
- 0.4
I D = 5 mA
80
- 0.6
- 0.8
I D = 250 μA
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10
1 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65939
S10-2685-Rev. B, 22-Nov-10
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